IXFN20N120P
Módulo; transistor individual; 1,2kV; 20A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN20N120P
Símbolo TME:
IXFN20N120P
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 1,2kV | |
Corriente del drenaje | 20A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 570mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 50A | |
Poder disipado | 595W | |
Tecnología | HiPerFET™, Polar™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 193nC | |
Tiempo de disponibilidad | 300ns | |
Tensión puerta-fuente | ±40V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.11 g
Certificados
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* IXFN20N120PNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
17 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 13.82 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 16.72 EUR
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 13.18 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 15.95 EUR
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 13.15 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 15.91 EUR
El producto está disponible hasta fin de existencias
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und