IXFN210N20P
Módulo; transistor individual; 200V; 188A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN210N20P
Símbolo TME:
IXFN210N20P
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 200V | |
Corriente del drenaje | 188A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 10,5mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 600A | |
Poder disipado | 1,07kW | |
Tecnología | HiPerFET™, Polar™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 255nC | |
Tiempo de disponibilidad | 200ns | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.01 g
Certificados
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* IXFN210N20P
121 en stock en TME
Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 49.16 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 59.48 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 39.12 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 47.34 USD
Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 34.70 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 41.99 USD
Método de envasado por el fabricante:Tubo = 10 und