IXFN40N110Q3
Módulo; transistor individual; 1,1kV; 35A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN40N110Q3
Símbolo TME:
IXFN40N110Q3
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 1,1kV | |
Corriente del drenaje | 35A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,26Ω | |
Corriente del drenaje en impulso | 100A | |
Poder disipado | 960W | |
Tecnología | HiPerFET™, Q3-Class | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 300nC | |
Tiempo de disponibilidad | 434ns | |
Tensión puerta-fuente | ±40V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto35.71 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistor modules IXYS,
* IXFN40N110Q3Número de unidades (Multiplicidad: 1)
2 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 23.94 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 28.96 USD
El producto está disponible hasta fin de existencias
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und