IXFN52N100X
Módulo; transistor individual; 1kV; 44A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN52N100X
Símbolo TME:
IXFN52N100X
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 1kV | |
Corriente del drenaje | 44A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,125Ω | |
Corriente del drenaje en impulso | 100A | |
Poder disipado | 830W | |
Tecnología | HiPerFET™, X-Class | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 245nC | |
Tiempo de disponibilidad | 260ns | |
Tensión puerta-fuente | ±40V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto35.82 g
Certificados
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* IXFN52N100XNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 53.40 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 64.62 EUR
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 46.20 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 55.91 EUR
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 40.61 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 49.13 EUR
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und