IXFN52N90P
Módulo; transistor individual; 900V; 43A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN52N90P
Símbolo TME:
IXFN52N90P
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 900V | |
Corriente del drenaje | 43A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,16Ω | |
Corriente del drenaje en impulso | 104A | |
Poder disipado | 890W | |
Tecnología | HiPerFET™, Polar™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 308nC | |
Tiempo de disponibilidad | 300ns | |
Tensión puerta-fuente | ±40V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.28 g
Certificados
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* IXFN52N90P
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Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 54.90 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 66.43 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 48.55 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 58.75 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 43.65 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 52.82 USD
Método de envasado por el fabricante:Tubo = 10 und