IXFN55N50
Módulo; transistor individual; 500V; 55A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN55N50
Símbolo TME:
IXFN55N50
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 500V | |
Corriente del drenaje | 55A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 80mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 220A | |
Poder disipado | 625W | |
Tecnología | HiPerFET™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 330nC | |
Tiempo de disponibilidad | 250ns | |
Tensión puerta-fuente | ±40V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto36.7 g
Certificados
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* IXFN55N50Número de unidades (Multiplicidad: 300)
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Precio neto para cantidades a partir de 300 und - 29.59 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 300 und - 35.81 EUR