IXFN64N60P
Módulo; transistor individual; 600V; 50A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN64N60P
Símbolo TME:
IXFN64N60P
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 600V | |
Corriente del drenaje | 50A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 96mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 150A | |
Poder disipado | 700W | |
Tecnología | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 200nC | |
Tiempo de disponibilidad | 200ns | |
Tensión puerta-fuente | ±40V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto35.84 g
Certificados
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* IXFN64N60PNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 29.35 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 35.51 EUR
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 25.48 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 30.82 EUR
Precio neto para cantidades a partir de 20 und - 24.58 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 20 und - 29.74 EUR
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und