IXFN66N85X
Módulo; transistor individual; 850V; 65A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN66N85X
Símbolo TME:
IXFN66N85X
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 850V | |
Corriente del drenaje | 65A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 65mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 140A | |
Poder disipado | 830W | |
Tecnología | HiPerFET™, X-Class | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 230nC | |
Tiempo de disponibilidad | 250ns | |
Tensión puerta-fuente | ±40V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.04 g
Certificados
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* IXFN66N85XNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
1 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 45.41 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 54.94 EUR
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 40.10 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 48.53 EUR
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 36.00 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 43.57 EUR
Método de envasado por el fabricanteRulo = 10 und