IXFN80N50
Módulo; transistor individual; 500V; 80A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN80N50
Símbolo TME:
IXFN80N50
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 500V | |
Corriente del drenaje | 80A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 55mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 320A | |
Poder disipado | 694W | |
Tecnología | HiPerFET™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 380nC | |
Tiempo de disponibilidad | 250ns | |
Tensión puerta-fuente | ±40V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.16 g
Certificados
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* IXFN80N50Número de unidades (Multiplicidad: 300)
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Producto a pedido especial
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und