IXFN90N85X
Módulo; transistor individual; 850V; 90A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN90N85X
Símbolo TME:
IXFN90N85X
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 850V | |
Corriente del drenaje | 90A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 41mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 180A | |
Poder disipado | 1,2kW | |
Tecnología | HiPerFET™, X-Class | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 340nC | |
Tiempo de disponibilidad | 250ns | |
Tensión puerta-fuente | ±40V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.31 g
Certificados
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* IXFN90N85XNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 51.43 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 62.23 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 48.19 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 58.31 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und