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IXGN320N60A3

Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B


El productor: IXYS

Denominación de fabricante:
IXGN320N60A3
Símbolo TME:
IXGN320N60A3

Especificación

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor individual
Tensión de retorno máx.
0,6kV
Corriente de colector
170A
Carcasa
SOT227B
Montaje eléctrico
atornillado
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
1,2kA
Poder disipado
735W
Tecnología
GenX3™, PT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto37.12 g
Certificados
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IXGN320N60A3
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Cantidad mínima a pedir: 300.
Multiplicidad: 300.
Precio neto para cantidades a partir de 300 und - 34.02 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 300 und - 41.17 EUR
Método de envasado por el fabricante:Tubo = 10 und