IXTN200N10T
Módulo; transistor individual; 100V; 200A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXTN200N10T
Símbolo TME:
IXTN200N10T
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 100V | |
Corriente del drenaje | 200A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 5,5mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 500A | |
Poder disipado | 550W | |
Tecnología | TrenchMV™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 152nC | |
Tiempo de disponibilidad | 76ns | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.01 g
Certificados
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* IXTN200N10TNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 41.15 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 49.80 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 36.38 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 44.01 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 32.63 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 39.48 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und