IXTN210P10T
Módulo; transistor individual; -100V; -210A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXTN210P10T
Símbolo TME:
IXTN210P10T
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | -100V | |
Corriente del drenaje | -210A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 7,5mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | -800A | |
Poder disipado | 830W | |
Tecnología | TrenchP™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 740nC | |
Tiempo de disponibilidad | 200ns | |
Tensión puerta-fuente | ±15V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.13 g
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* IXTN210P10TNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 47.83 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 57.87 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 44.82 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 54.23 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und