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IXTN60N50L2

Módulo; transistor individual; 500V; 53A; SOT227B; atornillado

El productor: IXYS

Denominación de fabricante:
IXTN60N50L2
Símbolo TME:
IXTN60N50L2

Especificación

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET
Estructura del semiconductor
transistor individual
Tensión drenaje-fuente
500V
Corriente del drenaje
53A
Carcasa
SOT227B
Montaje eléctrico
atornillado
Polarización
unipolar
Resistencia en estado de transferencia
0,1Ω
Corriente del drenaje en impulso
150A
Poder disipado
735W
Tecnología
Linear L2™
Clase de canal
enriquecido
Carga de puerta
610nC
Tiempo de disponibilidad
980ns
Tensión puerta-fuente
±40V
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto30 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistor modules IXYS,
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IXTN60N50L2
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 40.34 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 48.81 EUR
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 36.83 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 44.56 EUR
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 35.54 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 43.00 EUR
Número de unidades (Multiplicidad: 1)