IXTN8N150L
Módulo; transistor individual; 1,5kV; 7,5A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXTN8N150L
Símbolo TME:
IXTN8N150L
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 1,5kV | |
Corriente del drenaje | 7,5A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 3,6Ω | |
Corriente del drenaje en impulso | 20A | |
Poder disipado | 545W | |
Tecnología | Linear™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 250nC | |
Tiempo de disponibilidad | 1,7µs | |
Tensión puerta-fuente | ±40V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto30 g
Certificados
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* IXTN8N150LNúmero de unidades (Multiplicidad: 300)
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