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MD200HFR120C2S

Módulo; transistor/transistor; 1,2kV; 200A; C2 62mm; Idm: 822A; SiC

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
MD200HFR120C2S
Símbolo TME:
MD200HFR120C2S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Tensión drenaje-fuente
1,2kV
Corriente del drenaje
200A
Carcasa
C2 62mm
Topología
medio puente MOSFET
Montaje eléctrico
atornillado, FASTON terminales
Resistencia en estado de transferencia
10mΩ
Corriente del drenaje en impulso
822A
Tecnología
SiC
Tensión puerta-fuente
±20V
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto300 g
Certificados
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MD200HFR120C2S
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