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MD300HFR120B3S

Módulo; transistor/transistor; 1,2kV; 300A; B3.7; Idm: 1,096kA; SiC

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
MD300HFR120B3S
Símbolo TME:
MD300HFR120B3S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Tensión drenaje-fuente
1,2kV
Corriente del drenaje
300A
Carcasa
B3.7
Topología
medio puente MOSFET
Montaje eléctrico
atornillado, FASTON terminales
Resistencia en estado de transferencia
7,5mΩ
Corriente del drenaje en impulso
1,096kA
Tecnología
SiC
Tensión puerta-fuente
±20V
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto300 g
Certificados
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MD300HFR120B3S
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