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Fabricante	MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	diodo SiC/transistor
Tensión drenaje-fuente	1,2kV
Corriente del drenaje	268A
Carcasa	SP3F
Topología	medio puente MOSFET + diodos paralelos, termistor NTC
Montaje eléctrico	Press-in PCB
Resistencia en estado de transferencia	7,8mΩ
Corriente del drenaje en impulso	675A
Poder disipado	1,409kW
Tecnología	SiC
Montaje mecánico	atornillado

MSCSM120AM08CT3AG

Módulo; diodo SiC/transistor; 1,2kV; 268A; SP3F; Press-in PCB

Especificación

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca