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MSCSM120AM31CT1AG

Módulo; diodo SiC/transistor; 1,2kV; 71A; SP1F; Press-in PCB; 395W

El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY

Denominación de fabricante:
MSCSM120AM31CT1AG
Símbolo TME:
MSCSM120AM31CT1AG

Especificación

Fabricante
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET
Estructura del semiconductor
diodo SiC/transistor
Tensión drenaje-fuente
1,2kV
Corriente del drenaje
71A
Carcasa
SP1F
Topología
medio puente MOSFET + diodos paralelos, termistor NTC
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Resistencia en estado de transferencia
31mΩ
Corriente del drenaje en impulso
180A
Poder disipado
395W
Tecnología
SiC
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto80 g
Certificados

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MSCSM120AM31CT1AG
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