NSVIMD10AMT1G

Name: ONSEMI NSVIMD10AMT1G
Brand: ONSEMI
SKU: NSVIMD10AMT1G
Availability: OutOfStock

Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,par complementario; 50V

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:

NSVIMD10AMT1G

Símbolo TME:

NSVIMD10AMT1G

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.62 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.74 EUR

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.35 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.42 EUR

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.21 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.26 EUR

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.13 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.16 EUR

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.12 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.14 EUR

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.11 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.13 EUR

Precio neto para cantidades a partir de 6000 und - 0.10 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 6000 und - 0.12 EUR

Precio neto para cantidades a partir de 12000 und - 0.09 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 12000 und - 0.11 EUR

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Fabricante	ONSEMI
Tipo de transistor	NPN / PNP
Polarización	bipolar
Clase de transistor	BRT, par complementario
Tensión colector-emisor	50V
Corriente de colector	0,1A
Poder disipado	285mW
Carcasa	SC74R
Refuerzo del transistor	68...600
Montaje	SMD
Clase de empaquetado	bobina, cinta
resistor base	13/0,13kΩ
Uso	rama automotriz
resistor emisor-base	10kΩ
Embalaje estándar del fabricante	3000uds.