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NXH010P120MNF1PG

Módulo; transistor/transistor; 1,2kV; 114A; PIM18; Press-in PCB


El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
NXH010P120MNF1PG
Símbolo TME:
NXH010P120MNF1PG

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Tensión drenaje-fuente
1,2kV
Corriente del drenaje
114A
Carcasa
PIM18
Topología
medio puente MOSFET
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Resistencia en estado de transferencia
14,5mΩ
Corriente del drenaje en impulso
228A
Poder disipado
413W
Tecnología
SiC
Tensión puerta-fuente
-15...25V
Clase de empaquetado
bandeja
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto100 g
Certificados
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NXH010P120MNF1PG
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Cantidad mínima a pedir: 28.
Multiplicidad: 28.
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