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Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | ||
Construction de semi-conducteur | transistor simple | ||
Tension drain-source | 800V | ||
Courant du drain | 29A | ||
Boîtier | ISOTOP | ||
Montage électrique | vissés | ||
Polarisation | unipolaire | ||
Résistance en état de conduction | 0,26Ω | ||
Courant du drain dans l'impulsion | 116A | ||
Puissance de dissipation | 460W | ||
La technologie | POWER MOS 7® | ||
Genre de canal | enrichi | ||
Tension entrée-source | ±30V | ||
Genre de la emballage | tube | ||
Montage mécanique | vissés |