APTM100A13DG
Module; diode/transistor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1,25kW; vissés
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Marque du fabricant:
APTM100A13DG
Référence TME:
APTM100A13DG
Spécification
Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | ||
Construction de semi-conducteur | diode/transistor | ||
Tension drain-source | 1kV | ||
Courant du drain | 49A | ||
Boîtier | SP6C | ||
Topologie | demi moint MOSFET + diodes linéaires | ||
Montage électrique | FASTON connecteurs, vissés | ||
Résistance en état de conduction | 156mΩ | ||
Courant du drain dans l'impulsion | 240A | ||
Puissance de dissipation | 1,25kW | ||
La technologie | POWER MOS 7® | ||
Tension entrée-source | ±30V | ||
Montage mécanique | vissés |
Poids brut300 g
Certificates
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* APTM100A13DGNombre de pièces (Multiplication: 5)
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Prix net pour les quantités de 5 pcs - 218.17 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 261.80 USD
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