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Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | ||
Construction de semi-conducteur | diode/transistor | ||
Tension drain-source | 200V | ||
Courant du drain | 310A | ||
Boîtier | SP6C | ||
Topologie | transistor simple + diode linéaire + diode parallèle | ||
Montage électrique | FASTON connecteurs, vissés | ||
Résistance en état de conduction | 5mΩ | ||
Courant du drain dans l'impulsion | 1670A | ||
Puissance de dissipation | 1,56kW | ||
La technologie | POWER MOS 7® | ||
Tension entrée-source | ±30V | ||
Montage mécanique | vissés |