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Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | ||
Construction de semi-conducteur | diode SiC/transistor | ||
Tension drain-source | 500V | ||
Courant du drain | 110A | ||
Boîtier | SP6C | ||
Topologie | demi pont MOSFET + diodes linéaires + diodes parallèles | ||
Montage électrique | FASTON connecteurs, vissés | ||
Résistance en état de conduction | 28mΩ | ||
Courant du drain dans l'impulsion | 600A | ||
Puissance de dissipation | 1,25kW | ||
La technologie | POWER MOS 7®, SiC | ||
Tension entrée-source | ±30V | ||
Montage mécanique | vissés |