IXFN20N120P
Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Proizvođač: IXYS
Oznaka proizvođača:
IXFN20N120P
TME Simbol:
IXFN20N120P
Specifikacija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 1,2kV | |
Drain current | 20A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 570mΩ | |
Pulsed drain current | 50A | |
Power dissipation | 595W | |
Technology | HiPerFET™, Polar™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 193nC | |
Reverse recovery time | 300ns | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
Težina bruto37.11 g
Certifikati
Pogledajte ostale proizvode u ovoj kategoriji: Transistor modules IXYS,
* IXFN20N120PBroj komada (Višekratnost: 1)
17 na skladištu u TME
Net cijena za količine od 1 komad - 13.84 EURBruto cijena za količine od 1 komad - 17.30 EUR
Net cijena za količine od 3 komad - 13.20 EURBruto cijena za količine od 3 komad - 16.50 EUR
Net cijena za količine od 10 komad - 13.17 EURBruto cijena za količine od 10 komad - 16.46 EUR
Dostupno samo dok zaliha
Način pakiranja od strane proizvođačaTuba = 10 komad