IXFN26N100P
Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W
Proizvođač: IXYS
Oznaka proizvođača:
IXFN26N100P
TME Simbol:
IXFN26N100P
Specifikacija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 1kV | |
Drain current | 23A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 390mΩ | |
Pulsed drain current | 65A | |
Power dissipation | 595W | |
Technology | HiPerFET™, Polar™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 197nC | |
Reverse recovery time | 300ns | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
Težina bruto37.04 g
Certifikati
Pogledajte ostale proizvode u ovoj kategoriji: Transistor modules IXYS,
* IXFN26N100PBroj komada (Višekratnost: 1)
6 na skladištu u TME
Net cijena za količine od 1 komad - 36.31 EURBruto cijena za količine od 1 komad - 45.38 EUR
Net cijena za količine od 3 komad - 32.04 EURBruto cijena za količine od 3 komad - 40.05 EUR
Net cijena za količine od 10 komad - 28.81 EURBruto cijena za količine od 10 komad - 36.00 EUR
Dostupno samo dok zaliha
Način pakiranja od strane proizvođačaTuba = 10 komad