IXFN26N120P
Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A
Proizvođač: IXYS
Oznaka proizvođača:
IXFN26N120P
TME Simbol:
IXFN26N120P
Specifikacija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 1,2kV | |
Drain current | 23A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 0,5Ω | |
Pulsed drain current | 60A | |
Power dissipation | 695W | |
Technology | HiPerFET™, Polar™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 255nC | |
Reverse recovery time | 300ns | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
Težina bruto37.12 g
Certifikati
Pogledajte ostale proizvode u ovoj kategoriji: Transistor modules IXYS,
* IXFN26N120PBroj komada (Višekratnost: 1)
7 na skladištu u TME
Net cijena za količine od 1 komad - 37.45 EURBruto cijena za količine od 1 komad - 46.81 EUR
Net cijena za količine od 3 komad - 33.06 EURBruto cijena za količine od 3 komad - 41.33 EUR
Net cijena za količine od 10 komad - 29.70 EURBruto cijena za količine od 10 komad - 37.13 EUR
Dostupno samo dok zaliha
Način pakiranja od strane proizvođačaTuba = 10 komad