IXFN32N120P
Module; single transistor; 1.2kV; 32A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Proizvođač: IXYS
Oznaka proizvođača:
IXFN32N120P
TME Simbol:
IXFN32N120P
Specifikacija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 1,2kV | |
Drain current | 32A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 0,31Ω | |
Pulsed drain current | 100A | |
Power dissipation | 1kW | |
Technology | HiPerFET™, Polar™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 360nC | |
Reverse recovery time | 300ns | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
Težina bruto37.27 g
Certifikati
Pogledajte ostale proizvode u ovoj kategoriji: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N120PBroj komada (Višekratnost: 1)
0 na skladištu u TME
Net cijena za količine od 1 komad - 81.49 EURBruto cijena za količine od 1 komad - 101.86 EUR
Net cijena za količine od 3 komad - 71.98 EURBruto cijena za količine od 3 komad - 89.97 EUR
Net cijena za količine od 10 komad - 64.67 EURBruto cijena za količine od 10 komad - 80.84 EUR
Proizvod teško dostupan
Način pakiranja od strane proizvođačaTuba = 10 komad