+1 500 000 termék a kínálatban

7000 csomag postázása naponta

+300 000 vásárló 150 országból

Quick Buy Kedvencek
Kosár

2024.03.28-tól felfüggesztettük az egyéni vásárlóknak történő értékesítést. A helyzet esetleges változásairól folyamatosan tájékoztatni fogjuk Önt.

A vállalati ügyfeleknek nyújtott szolgáltatás változatlanul folytatódik. Elnézést kérünk a kellemetlenségekért.

NXH010P120M3F1PG

Modul; tranzisztor/tranzisztor; 1,2kV; 105A; PIM18; Press-in PCB

Gyartó: ONSEMI

Gyártói jelölés:
NXH010P120M3F1PG
TME Jelkép:
NXH010P120M3F1PG

Specifikáció

Gyártó
ONSEMI
Félvezető modul típusa
MOSFET tranzisztor
Félvezető struktúra
tranzisztor/tranzisztor
Drén - forrás feszültség
1,2kV
Drén áram
105A
Tokozás
PIM18
Topológia
MOSFET félhíd
Elektromos szerelés
Press-in PCB
Ellenállás vezetési állapotban
24,5mΩ
Impulzus drain áram
316A
Teljesítmény elosztás
272W
Technológia
SiC
Kapu-forrás feszültség
-10...22V
Fajta csomagolás
tálca
Mechanikai szerelés
csavarható
Bruttó súlya100 g
Tanusítványok
További termékek ebben a kategóriában: Transistor modules ONSEMI,
*
NXH010P120M3F1PG
0 raktáron a TME-nél
Nettó ár a következő mennyiségek esetében 28 db - 75.41 EURBruttó ár a következő mennyiségekre 28 db - 95.76 EUR
Darabszám (Többszörös: 28)
Minimális rendelési mennyiség: 28.
Többszörös: 28.