+1 500 000 termék a kínálatban

7000 csomag postázása naponta

+300 000 vásárló 150 országból

Quick Buy Kedvencek
Kosár

2024.03.28-tól felfüggesztettük az egyéni vásárlóknak történő értékesítést. A helyzet esetleges változásairól folyamatosan tájékoztatni fogjuk Önt.

A vállalati ügyfeleknek nyújtott szolgáltatás változatlanul folytatódik. Elnézést kérünk a kellemetlenségekért.

STGAP2SICSCTR

IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8-W; -4÷4A; 1,2kV; Ch: 1


Gyartó: STMicroelectronics

Gyártói jelölés:
STGAP2SICSCTR
TME Jelkép:
STGAP2SICSCTR

Specifikáció

Gyártó
STMicroelectronics
Az integrált áramkör típusa
driver
Fajta integrált áramkör
SiC MOSFET gate driver
Tokozás
SO8-W
Kimeneti áram
-4...4A
Kimeneti feszültség
1,2kV
Csatornák száma
1
Integrált áramkör tulajdonságai
galvanikusan izolált
Szerelés
SMD
Üzemi hőmérséklet
-40...125°C
Fajta csomagolás
szalag, tekercs
Tápfeszültség
  • 3,1...5,5V
Bruttó súlya1 g
Tanusítványok
További termékek ebben a kategóriában: MOSFET/IGBT driverek STMicroelectronics,
*
STGAP2SICSCTR
0 raktáron a TME-nél
Darabszám (Többszörös: 1 000)
Minimális rendelési mennyiség: 1 000.
Többszörös: 1 000.
Termék speciális megrendelésre