APTM100DAM90G
Module; diode/transistor; 1kV; 59A; SP6C; Topology: boost chopper
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
APTM100DAM90G
TME Simbols:
APTM100DAM90G
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | ||
Semiconductor structure | diode/transistor | ||
Drain-source voltage | 1kV | ||
Drain current | 59A | ||
Case | SP6C | ||
Topology | boost chopper | ||
Electrical mounting | FASTON connectors, screw | ||
On-state resistance | 0,105Ω | ||
Pulsed drain current | 312A | ||
Power dissipation | 1,25kW | ||
Technology | POWER MOS 7® | ||
Gate-source voltage | ±30V | ||
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto300 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor drivers MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM100DAM90GGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 6)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 6 gab - 157.14 EURBruto cena par daudzumiem no 6 gab - 190.14 EUR
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem