APTM10DAM02G
Module; diode/transistor; 100V; 370A; SP6C; Idm: 1900A; 1.25kW
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
APTM10DAM02G
TME Simbols:
APTM10DAM02G
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | ||
Semiconductor structure | diode/transistor | ||
Drain-source voltage | 100V | ||
Drain current | 370A | ||
Case | SP6C | ||
Topology | boost chopper | ||
Electrical mounting | FASTON connectors, screw | ||
On-state resistance | 2,5mΩ | ||
Pulsed drain current | 1900A | ||
Power dissipation | 1,25kW | ||
Technology | POWER MOS 5® | ||
Gate-source voltage | ±30V | ||
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto300 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor drivers MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM10DAM02GGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 5)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 159.61 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 193.13 EUR
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem