APTM10DSKM09T3G
Module; diode/transistor; 100V; 100A; SP3; Press-in PCB; Idm: 430A
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
APTM10DSKM09T3G
TME Simbols:
APTM10DSKM09T3G
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | diode/transistor | |
Drain-source voltage | 100V | |
Drain current | 100A | |
Case | SP3 | |
Topology | buck chopper x2, NTC thermistor | |
Electrical mounting | Press-in PCB | |
On-state resistance | 10mΩ | |
Pulsed drain current | 430A | |
Power dissipation | 390W | |
Technology | POWER MOS 5® | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto110 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM10DSKM09T3GGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 12)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 12 gab - 65.92 EURBruto cena par daudzumiem no 12 gab - 79.76 EUR
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem