APTM120A20SG
Module; diode/transistor; 1.2kV; 37A; SP6C; Idm: 200A; 1.25kW; screw
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
APTM120A20SG
TME Simbols:
APTM120A20SG
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | ||
Semiconductor structure | diode/transistor | ||
Drain-source voltage | 1,2kV | ||
Drain current | 37A | ||
Case | SP6C | ||
Topology | MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes | ||
Electrical mounting | FASTON connectors, screw | ||
On-state resistance | 0,24Ω | ||
Pulsed drain current | 200A | ||
Power dissipation | 1,25kW | ||
Technology | POWER MOS 7® | ||
Gate-source voltage | ±30V | ||
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto300 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor drivers MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM120A20SGGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 4)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 4 gab - 248.17 USDBruto cena par daudzumiem no 4 gab - 300.29 USD
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem