APTM120H140FT1G
Module; transistor/transistor; 1.2kV; 6A; SP1; Press-in PCB; 208W
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
APTM120H140FT1G
TME Simbols:
APTM120H140FT1G
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | transistor/transistor | |
Drain-source voltage | 1,2kV | |
Drain current | 6A | |
Case | SP1 | |
Topology | H-bridge, NTC thermistor | |
Electrical mounting | Press-in PCB | |
On-state resistance | 1,68Ω | |
Pulsed drain current | 50A | |
Power dissipation | 208W | |
Technology | POWER MOS 8® | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto80 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM120H140FT1GGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 14)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 14 gab - 58.01 EURBruto cena par daudzumiem no 14 gab - 70.20 EUR
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem