APTM50DAM19G
Module; diode/transistor; 500V; 122A; SP6C; Idm: 652A; 1136W; screw
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
APTM50DAM19G
TME Simbols:
APTM50DAM19G
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | ||
Semiconductor structure | diode/transistor | ||
Drain-source voltage | 500V | ||
Drain current | 122A | ||
Case | SP6C | ||
Topology | boost chopper | ||
Electrical mounting | FASTON connectors, screw | ||
On-state resistance | 22,5mΩ | ||
Pulsed drain current | 652A | ||
Power dissipation | 1136W | ||
Technology | POWER MOS 7® | ||
Gate-source voltage | ±30V | ||
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto300 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor drivers MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM50DAM19GGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 6)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 6 gab - 156.56 USDBruto cena par daudzumiem no 6 gab - 189.44 USD
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem