Jūs pārlūkojat vietni klientiem no: Latvia. Jums ieteiktā vietnes versija ir USA / US

+1 300 000 produkti piedāvājumā

6000 pakas sūtītas katrā dienā

+300 000 klienti no 150 valstīm

Quick Buy Iemīļotie
Grozs

Lūdzu, sazinieties ar savu tirgus pārstāvi. Aiciniet mūs uz tiešsaistes sanāksmi.
Dokumentācija EN

IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES - Transistor N-MOSFET

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB

Oriģināls simbols:
IRF3710ZPBF

TME Simbols:
IRF3710ZPBF

INFINEON TECHNOLOGIES - logo

Specifikācija

Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
59A
Power dissipation
160W
Case
TO220AB
Gate-source voltage
±20V
On-state resistance
18mΩ
Mounting
THT
Gate charge
82nC
Kind of package
tube
Kind of channel
enhancement
Masa bruto1.937 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Tranzistori ar N veida kanālu THT INFINEON TECHNOLOGIES,
*
IRF3710ZPBF
null TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Kopā: no-prices
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 50 gab