APT35GP120J
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Позначення виробника:
APT35GP120J
Символ TME:
APT35GP120J
Специфікація
Виробник | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Тип напівпровідникового модуля | IGBT | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Зворотна напруга макс. | 1,2кВ | |
Струм колектора | 29А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Напруга затвор - емітер | ±30В | |
Струм колектора в імпульсі | 140А | |
Технологія | POWER MOS 7®, PT | |
Вид упаковки | туба | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто36.43 g
Сертифікати
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. є імпортером виробів цієї марки
Дивитись інші продукти цієї категорії: Модулі IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT35GP120JКількість штук (Кратність: 1)
1 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 37.99 EURЦіна брутто для партій від 1 pcs - 37.99 EUR
Ціна нетто для партій від 3 pcs - 34.19 EURЦіна брутто для партій від 3 pcs - 34.19 EUR
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 30.21 EURЦіна брутто для партій від 10 pcs - 30.21 EUR
Продукт доступний тільки до вичерпання складських запасів
Пропозиція доступна для зареєстрованих клієнтів