APT50GF120JRDQ3
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 64А; SOT227B
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Позначення виробника:
APT50GF120JRDQ3
Символ TME:
APT50GF120JRDQ3
Специфікація
Виробник | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Тип напівпровідникового модуля | IGBT | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Зворотна напруга макс. | 1,2кВ | |
Струм колектора | 64А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Напруга затвор - емітер | ±30В | |
Струм колектора в імпульсі | 225А | |
Технологія | Fast IGBT, FRED, NPT | |
Вид упаковки | туба | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто30 g
Сертифікати
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. є імпортером виробів цієї марки
Дивитись інші продукти цієї категорії: Модулі IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT50GF120JRDQ3Кількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 124.49 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 124.49 USD
Ціна нетто для партій від 3 pcs - 112.03 USDЦіна брутто для партій від 3 pcs - 112.03 USD
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 99.00 USDЦіна брутто для партій від 10 pcs - 99.00 USD
Пропозиція доступна для зареєстрованих клієнтів