APTM100H45SCTG
Модуль; діод SiC/транзистор; 1кВ; 14А; SP4; Idm: 72А; 357Вт
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Позначення виробника:
APTM100H45SCTG
Символ TME:
APTM100H45SCTG
Специфікація
Виробник | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | ||
Структура напівпровідника | діод SiC/транзистор | ||
Напруга сток-джерело | 1кВ | ||
Струм стока | 14А | ||
Корпус | SP4 | ||
Топологія | міст Н + паралельні діоди, термістор NTC | ||
Електричний монтаж | конектори FASTON, пригвинчуваний | ||
Опір в стані провідності | 0,54Ом | ||
Струм стоку в імпульсі | 72А | ||
Потужність розсіювання | 357Вт | ||
Технологія | POWER MOS 7®, SiC | ||
Напруга затвор-джерело | ±30В | ||
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто160 g
Сертифікати
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. є імпортером виробів цієї марки
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM100H45SCTGКількість штук (Кратність: 6)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 6 pcs - 163.05 USDЦіна брутто для партій від 6 pcs - 163.05 USD
Пропозиція доступна для зареєстрованих клієнтів