APTM120DA30T1G
Модуль; діод/транзистор; 1,2кВ; 23А; SP1; Press-in PCB; Idm: 195А
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Позначення виробника:
APTM120DA30T1G
Символ TME:
APTM120DA30T1G
Специфікація
Виробник | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | ||
Структура напівпровідника | діод/транзистор | ||
Напруга сток-джерело | 1,2кВ | ||
Струм стока | 23А | ||
Корпус | SP1 | ||
Топологія | boost chopper, термістор NTC | ||
Електричний монтаж | Press-in PCB | ||
Опір в стані провідності | 0,36Ом | ||
Струм стоку в імпульсі | 195А | ||
Потужність розсіювання | 657Вт | ||
Технологія | POWER MOS 8® | ||
Напруга затвор-джерело | ±30В | ||
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто80 g
Сертифікати
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. є імпортером виробів цієї марки
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM120DA30T1GКількість штук (Кратність: 15)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 15 pcs - 62.66 USDЦіна брутто для партій від 15 pcs - 62.66 USD
Пропозиція доступна для зареєстрованих клієнтів