APTM120U10SCAVG
Модуль; діод SiC/транзистор; 1,2кВ; 86А; SP6; пригвинчуваний
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Позначення виробника:
APTM120U10SCAVG
Символ TME:
APTM120U10SCAVG
Специфікація
Виробник | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | ||
Структура напівпровідника | діод SiC/транзистор | ||
Напруга сток-джерело | 1,2кВ | ||
Струм стока | 86А | ||
Корпус | SP6 | ||
Топологія | одиночний транзистор + послідовний діод + паралельний діод | ||
Електричний монтаж | пригвинчуваний | ||
Опір в стані провідності | 0,12Ом | ||
Струм стоку в імпульсі | 464А | ||
Потужність розсіювання | 3,29кВт | ||
Технологія | POWER MOS 7®, SiC | ||
Напруга затвор-джерело | ±30В | ||
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто300 g
Сертифікати
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. є імпортером виробів цієї марки
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM120U10SCAVGКількість штук (Кратність: 3)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 3 pcs - 271.35 EURЦіна брутто для партій від 3 pcs - 271.35 EUR
Пропозиція доступна для зареєстрованих клієнтів