IXFN110N85X
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 110А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXFN110N85X
Символ TME:
IXFN110N85X
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 850В | |
Струм стока | 110А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 33мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 220А | |
Потужність розсіювання | 1,17кВт | |
Технологія | HiPerFET™, X-Class | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 425нКл | |
Час готовності | 205нс | |
Напруга затвор-джерело | ±40В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто37.29 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXFN110N85XКількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 70.49 EURЦіна брутто для партій від 1 pcs - 70.49 EUR
Ціна нетто для партій від 5 pcs - 65.04 EURЦіна брутто для партій від 5 pcs - 65.04 EUR
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 62.78 EURЦіна брутто для партій від 10 pcs - 62.78 EUR
Спосіб пакування від виробникаТубус = 10 pcs