IXFN55N50
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 55А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXFN55N50
Символ TME:
IXFN55N50
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 500В | |
Струм стока | 55А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 80мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 220А | |
Потужність розсіювання | 625Вт | |
Технологія | HiPerFET™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 330нКл | |
Час готовності | 250нс | |
Напруга затвор-джерело | ±40В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто36.7 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXFN55N50Кількість штук (Кратність: 300)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 300 pcs - 29.51 EURЦіна брутто для партій від 300 pcs - 29.51 EUR