IXFN66N85X
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXFN66N85X
Символ TME:
IXFN66N85X
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | 850В | |
Струм стока | 65А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 65мОм | |
Струм стоку в імпульсі | 140А | |
Потужність розсіювання | 830Вт | |
Технологія | HiPerFET™, X-Class | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 230нКл | |
Час готовності | 250нс | |
Напруга затвор-джерело | ±40В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто37.04 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXFN66N85XКількість штук (Кратність: 1)
1 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 52.46 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 52.46 USD
Ціна нетто для партій від 3 pcs - 46.34 USDЦіна брутто для партій від 3 pcs - 46.34 USD
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 41.60 USDЦіна брутто для партій від 10 pcs - 41.60 USD
Спосіб пакування від виробникаРулон = 10 pcs