IXGN100N170
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 95А; SOT227B
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXGN100N170
Символ TME:
IXGN100N170
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | IGBT | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Зворотна напруга макс. | 1,7кВ | |
Струм колектора | 95А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Напруга затвор - емітер | ±20В | |
Струм колектора в імпульсі | 600А | |
Потужність розсіювання | 735Вт | |
Технологія | NPT | |
Властивості напівпровідникових елементів | високовольтний | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто37.13 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Модулі IGBT IXYS,
* IXGN100N170
0 на складі TME
Кількість штук (Кратність: 1)
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 58.93 EURЦіна брутто для партій від 1 pcs - 58.93 EUR
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 54.33 EURЦіна брутто для партій від 10 pcs - 54.33 EUR
Ціна нетто для партій від 20 pcs - 50.44 EURЦіна брутто для партій від 20 pcs - 50.44 EUR
Ціна нетто для партій від 30 pcs - 46.95 EURЦіна брутто для партій від 30 pcs - 46.95 EUR
Ціна нетто для партій від 40 pcs - 46.25 EURЦіна брутто для партій від 40 pcs - 46.25 EUR
Спосіб пакування від виробника:Тубус = 10 pcs