IXGN200N170
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 160А; SOT227B
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXGN200N170
Символ TME:
IXGN200N170
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | IGBT | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Зворотна напруга макс. | 1,7кВ | |
Струм колектора | 160А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Напруга затвор - емітер | ±20В | |
Струм колектора в імпульсі | 1,05кА | |
Потужність розсіювання | 1,25кВт | |
Технологія | NPT | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто30 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Модулі IGBT IXYS,
* IXGN200N170Кількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 56.70 EURЦіна брутто для партій від 1 pcs - 56.70 EUR
Ціна нетто для партій від 5 pcs - 52.27 EURЦіна брутто для партій від 5 pcs - 52.27 EUR
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 50.43 EURЦіна брутто для партій від 10 pcs - 50.43 EUR