IXKN75N60C
Модуль; одиночний транзистор; 600В; 50А; SOT227B; пригвинчуваний
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXKN75N60C
Символ TME:
IXKN75N60C
Специфікація
Виробник | IXYS | ||
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | ||
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | ||
Напруга сток-джерело | 600В | ||
Струм стока | 50А | ||
Корпус | SOT227B | ||
Електричний монтаж | пригвинчуваний | ||
Поляризація | польовий | ||
Опір в стані провідності | 36мОм | ||
Струм стоку в імпульсі | 250А | ||
Потужність розсіювання | 560Вт | ||
Технологія | CoolMOS™ | ||
Вид каналу | збагачений | ||
Заряд затвора | 500нКл | ||
Час готовності | 580нс | ||
Напруга затвор-джерело | ±20В | ||
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто36.01 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXKN75N60CКількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 64.25 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 64.25 USD
Ціна нетто для партій від 3 pcs - 60.98 USDЦіна брутто для партій від 3 pcs - 60.98 USD
Ціна нетто для партій від 5 pcs - 60.13 USDЦіна брутто для партій від 5 pcs - 60.13 USD
Спосіб пакування від виробникаТубус = 10 pcs