IXTN120P20T
Модуль; одиночний транзистор; -200В; -106А; SOT227B; Idm: -400А
Виробник: IXYS
Позначення виробника:
IXTN120P20T
Символ TME:
IXTN120P20T
Специфікація
Виробник | IXYS | |
Тип напівпровідникового модуля | транзисторний MOSFET | |
Структура напівпровідника | одиночний транзистор | |
Напруга сток-джерело | -200В | |
Струм стока | -106А | |
Корпус | SOT227B | |
Електричний монтаж | пригвинчуваний | |
Поляризація | польовий | |
Опір в стані провідності | 30мОм | |
Струм стоку в імпульсі | -400А | |
Потужність розсіювання | 830Вт | |
Технологія | TrenchP™ | |
Вид каналу | збагачений | |
Заряд затвора | 740нКл | |
Час готовності | 300нс | |
Напруга затвор-джерело | ±15В | |
Механічний монтаж | пригвинчуваний |
Маса брутто29.575 g
Сертифікати
Дивитись інші продукти цієї категорії: Transistor modules IXYS,
* IXTN120P20TКількість штук (Кратність: 1)
0 на складі TME
Ціна нетто для партій від 1 pcs - 66.21 USDЦіна брутто для партій від 1 pcs - 66.21 USD
Ціна нетто для партій від 3 pcs - 58.47 USDЦіна брутто для партій від 3 pcs - 58.47 USD
Ціна нетто для партій від 10 pcs - 52.58 USDЦіна брутто для партій від 10 pcs - 52.58 USD